楼盘与房源介绍

一、项目概况与区位

创维半导体设计大厦位于南山高新技术园南区，用地约17025.5平方米，总建设面积124533.62平方米，计容建筑面积84931.04平方米。项目由东、西塔楼和连接裙楼构成，塔楼地上24层、地下3层。

二、建筑与办公空间

建筑面积为124,533.62平方米（项目整体）。该数值描述所注明范围的建筑规模，具体办公面积和可租单元面积应分别核对。

竣工时间为2010-08；楼层资料为26层；层高资料为4.5米。开发商为深圳创维集团有限公司。

资料中的标准办公柱距为约8.4米，楼栋通过裙楼联系。研发及技术团队可把具体楼栋的平面布局、设备运输、用电和网络条件纳入办公方案，总建设面积与计容面积应分别理解。

三、交通与通勤

大厦地址为广东省深圳市南山区高新南一道9-南门。附近轨道站点为1号线/罗宝线 高新园站，参考距离约371米。距离为位置参考，步行路线应结合实际出入口和过街条件判断。

四、租赁面积与费用

参考可租面积为23.8~20000平米；参考租金为62~120 元/㎡·月。同一项目不同楼栋、楼层、装修及租期的报价可能不同，最终以实际可租房源和租赁条件为准。

五、办公选址要点

看房时可按团队人数与工位、会议室和接待需求核对可用布局，确认柱网、净高、采光和空调时段。费用比较除租金外，还需纳入物业、空调、停车及装修投入；涉及研发或设备的团队，应进一步确认荷载、用电与货运条件。